功率因数校正是一种将输入电流整形为尽可能正弦的技术,以减少谐波失真和相关的损耗,并与交流电路中的输入电压同相,使功率因数接近1。
作为相对高功率开关模式电源(SMPS)的前端,三相功率因数校正器设计有多种不同的拓扑结构,以满足特定要求。具有两个或更多个小交错级的交织架构对于帮助实现更高的功率密度也是有用的。或者为了进一步提高组合PFC和整流器前端的效率,已经出现了无桥拓扑结构,其可以通过最小化线电流路径中的半导体开关的数量来帮助减少传导损耗。对于具有更高电流的高功率系统,需要连续导通模式(CCM)和过渡模式(TM)操作,并且具有固定关断时间(FOT)操作的新专利方法可提供巨大优势。
意法半导体提供先进的PFC数字控制器和高性能STM32微控制器,支持交错和无桥拓扑。为了帮助设计稳健和高效的PFC级,这些器件嵌入了所有必需的保护功能,包括输出过压,欠压,反馈断开和升压电感饱和。
开发人员还将欣赏我们的功率MOSFET和整流器,包括碳化硅(SiC)电隔离栅极驱动器以及一系列硬件和软件评估和开发工具。