在双开关反激式拓扑结构中,增加了高端功率MOSFET(位于输入电压轨和变压器之间)和缓冲二极管,以帮助克服传统反激拓扑的局限性,因为整体电压应力在两者之间平均分配晶体管。 这在高压应用中特别有价值,例如由三相输入轨提供的辅助电源。 双开关反激式拓扑结构还可通过两个二极管将泄漏能量循环到输入侧,从而消除钳位损耗,从而在将功率MOSFET的最大电压应力钳位到输入电压的同时提高效率并降低热应力。
我们提供一系列支持准谐振模式,功率MOSFET,二极管和保护器件的控制器,以及一系列硬件和软件开发和评估工具,以帮助设计高效率的双晶体管反激式AC-DC转换器。