STM8S103K3T6C产品描述
2022-11-16STM8S103K3T6C接入线8位微控制器提供8kbytesFlash程序内存,加上集成的真实数据EEPROM。STM8S微控制器家族参考手册(RM0016)将该家族中的设备称为低密度设备。它们提供以下好处:性能、健壮性和降低系统成本。设备的性能和健壮性由先进的...
STM8S105K4T6C产品描述
2022-11-15芯片特点:内核高级STM8内核,具有3级流水线的哈佛结构扩展指令集存储器中等密度程序和数据存储器:─最多32K字节Flash;10K次擦写后在55°C环境下数据可保存20年─数据存储器:多达1K字节真正的数据EEPROM;可达30万次擦写RA...
STM8S005K6T6C功能描述
2022-11-14【功能】“先进的STM8内核,哈佛架构和3级管道”“扩展指令集”“记忆”“中密度闪存/EEPROM”—程序内存:32千字节的闪存;数据存储:128字节真实数据EEPROM;可承受高达100k的写/擦除周...
STM8S005K6T6C-编程设计
2022-11-11块操作既可以对主程序内存执行,也可以对DATA区执行:•在主程序内存中:块程序对主程序内存的操作必须完全从RAM执行。•DATA区域-具有读写能力的设备:DATA块操作可以从主程序内存执行。然而,数据加载阶段(见下文)必须从RAM执行...
STM32F303VCT6-CPAL功能描述
2022-11-09整个CPAL配置机制基于一个结构(CPAL_InitTypeDef),它包含每个外设(每个外设对应一个结构)所需的所有配置信息,以及通信和外设的当前状态。默认结构由CPAL为每个外设声明。客户应用程序应该使用这些默认结构来配置和监视外围设备。示例...
STM8L151G6U6产品介绍
2022-11-08STM8L151G6U6微控制器具有16kbyte或32kbyte闪存密度)的特性、pinout、机械数据和订购信息。这些设备在STM8L15x和STM8L16x参考手册(RM0031)和STM8LFlash编程手册(PM0054)中被称为中密度设备。中密度设备提供以下好处:•集成系统为...
STM32F405RGT6产品描述
2022-11-07STM32F405RGT6基于高性能ARM®Cortex®-M432位RISC核心,工作频率高达168MHz。Cortex-M4核心具有浮点单元(FPU)单精度,支持所有ARM单精度数据处理指令和数据类型。它还实现了一套完整的DSP指令和一个提高应用程序安全性的内存保...
STM32F405RGT6-擦除和程序操作
2022-11-07擦除和程序操作对于任何闪存程序操作(擦除或程序),CPU时钟频率(HCLK)必须至少为1兆赫。如果在闪存操作期间发生设备重置,则不保证闪存的内容。在STM32F405RGT6上写入或擦除闪存时,任何读取闪存的尝试都会导致总线停止。一旦程序操作完...
STM32F373CCT6系统架构和内存概述
2022-11-04系统架构主系统包括:•五个主:-Cortex®-M4与FPU核心I-bus-Cortex®-M4与FPU核心D-bus-Cortex®-M4与FPU核心S-bus-GP-DMA1和GP-DMA2(通用dma)•五个从:-内部SRAM-内部闪存(ICODE和DCODE)-AHB到APBx(APB1或APB2),...
STM32F373CCT6产品描述
2022-11-04STM32F373CCT6系列基于高性能ARM®Cortex®-M432位RISC核心,工作频率高达72MHz,并嵌入浮点单元(FPU)、内存保护单元(MPU)和嵌入式跟踪Macrocell™(ETM)。该系列集成了高速嵌入式存储器(高达256千字节的闪存,高达32千字节...