STM8L152R6T6产品详情
高密度和中+密度STM8L152R6T6是STM8L超低功耗家族的一部分,提供以下优点:•集成系统高达64千字节的高密度嵌入式Flash程序内存高达2千字节的数据eepromup高达4千字节的ram -内部高速和低功率低速RC。-嵌入式复位•超低功耗-1 μA Active-halt模式-时钟门控系统和优化的电源管理-能够从RAM执行低功耗等待模式和低功耗运行模式•高级特性-高达16mips在16 MHz CPU时钟频率-直接内存访问(DMA)内存到内存或外设到内存访问。•较短的开发周期-跨公共产品体系结构的应用可扩展性,具有兼容的针脚、内存映射和模块化外设。-广泛的开发工具选择stm8l超低功耗微控制器可以运行在1.8 - 3.6V(下电至1.65 v)或1.65 - 3.6V。它们在-40到+85°C和-40到+125°C的温度范围内可用。这些功能使STM8L超低功耗微控制器系列适用于广泛的应用:•医疗和手持设备•应用控制和用户界面•PC外设,游戏,GPS和运动设备•报警系统,有线和无线传感器•计量设备提供5个不同的包从32到80个引脚。根据设备的不同,包括不同的外设集。请参阅第3节,以获得该系列中提议的外围设备的完整范围的概述。所有STM8L超低功耗产品都基于相同的架构,具有相同的内存映射和一致的针脚。
•工作条件—工作电源:1.65 ~ 3.6 V(无BOR)、1.8 ~ 3.6 V(有BOR)—温度范围:-40 ~ 85、105或125℃•低功耗特性—5种低功耗模式:Wait、低功耗运行(5.9 μA)、低功耗等待(3 μA)、全RTC Active-halt (1.4 μA)、Halt (400 nA)—功耗:200 μA/MHz+330 μA—从Halt模式快速唤醒(4.7 μs)—每I/0超低泄漏:50 nA•高级STM8内核—哈佛架构和3级管道—最大频率:16 MHz, 16 CISC MIPS峰值-多达40个外部中断源•复位和供应管理-低功率,超安全BOR复位与5个可编程阈值-超低功率POR/PDR -可编程电压检测器(PVD)•时钟管理- 32 kHz和1-16 MHz晶体振荡器-内部16 MHz工厂裁剪RC和38 kHz低消耗RC -时钟安全系统•低功率RTC - BCD日历与报警中断,-高级防篡改检测•LCD: 8x40或4x44 w/升压转换器•DMA - 4 ch.用于ADC, DAC, spi, I2C, USARTs,计时器,1 ch.用于内存到内存•2x12位DAC(双模式)带输出缓冲区•12位ADC高达1 Msps/28通道-温度传感器和内部参考电压