STM32F446RCT6产品描述
STM32F446RCT6器件基于高性能ARM®Cortex®-M4 32位RISC核心,工作频率高达180MHz。Cortex-M4核心具有浮点单元(FPU)单精度,支持所有ARM®单精度数据处理指令和数据类型。它还实现了一套完整的DSP指令和内存保护单元(MPU),增强了应用程序的安全性。STM32F446RCT6设备集成了高速嵌入式存储器(高达512 Kbyte的闪存,高达128 Kbyte的SRAM),高达4kbyte的备份SRAM,以及广泛的增强I/ o和外设,连接到两个APB总线,两个AHB总线和一个32位多AHB总线矩阵。所有器件提供三个12位adc,两个dac,一个低功耗RTC,十二个通用的16位定时器,包括两个用于电机控制的PWM定时器,两个通用的32位定时器。它们还具有标准和先进的通信接口。
•4个spi, 3个i2c全单工。为了实现音频等级精度,I2S外设可以通过专用的内部音频锁相环或通过外部时钟进行同步;•四个usart +两个uart;•一个USB OTG全速和一个USB OTG高速全速能力(与ULPI),两者都有专用的电源导轨,允许在整个功率范围内使用它们;•两个can;•两个SAIs串行音频接口。为了实现音频分类精度,saii可以通过专用的内部音频锁相锁相;•SDIO/MMC接口;•摄像头接口;•HDMI-CEC;•SPDIF接收器(SPDIFRx);•QuadSPI
特性
•核心:ARM®32位Cortex®- m4 CPU与FPU,自适应实时加速器(ART加速器™)允许从Flash内存0等待状态执行,频率高达180 MHz, MPU, 225 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),和DSP指令•内存- 512 kB闪存- 128 kB SRAM -灵活的外部内存控制器,多达16位数据总线:SRAM,PSRAM,SDRAM/LPSDR SDRAM, Flash NOR/NAND存储器-双模式四SPI接口•LCD并行接口,8080/6800模式•时钟,复位和供应管理- 1.7 V至3.6 V应用电源和I/ o- POR, PDR, PVD和BOR - 4至26 MHz晶体振荡器-内部16 MHz工厂修剪RC(1%精度)- 32 kHz振荡器与校准RTC -内部32 kHz RC与校准•低功耗-睡眠,停止和待机模式- vbat RTC电源,20×32位备份寄存器+可选的4 KB备份SRAM•3×12-bit, 2.4 MSPS ADC:最多24通道和7.2 MSPS在三重交错模式•2×12-bit D/A转换器•通用DMA: 16流DMA控制器与FIFOs和突发支持•多达17个定时器:2倍watchdog, 1倍SysTick定时器和多达12个16位和两个32位定时器高达180 MHz,每个与多达4 IC/OC/PWM或脉冲计数器